北京时间4月17日,美国商务部公示:“将禁止美国公司向中兴销售零部件、商品、软件和技术7年,封期直到2025年。”一石激起千层浪,中兴这样一个年营收上千亿的巨头企业,立马面临破产危机。美国商务部的一句话,为何会对中兴造成如此致命的打击?

中兴制裁事件不是第一次,也不会是最后一次。只要核心技术还在别人手中,那就是一张能反复用于打击你的百发百中的底牌。

中国芯支撑云存储 国产化替代切实可行-奇享网
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正如环球时报所说:“发展国产芯片,中国不能三心二意了!”国家要收复高科技芯片失地,如今当务之急,应加速研发并使用国产芯片,全面推进“中国芯”产品的市场运用,牢牢掌握核心技术主动权。

瑞驰是国内一家技术创新型存储公司,重视民族品牌发展,多年来致力于推动国产化产品走向市场。比如天阙云存储,产品名源于“待重头收拾旧山河,朝天阙!”,是典型的国产产品,拥有国家多项知识产权证书。天阙云是瑞驰信息技术公司推出的业界第一个全国产化分布式存储,能同时支持飞腾、龙芯、申威“中国芯”硬件平台。

我们不仅要掌握核心技术,供应链也需要自主可控。据了解,瑞驰的天阙云存储软硬件100%国产化,从研发、生产、升级、维护全方位安全自主可控。由“中国芯”的服务器硬件、麒麟操作系统,瑞驰自主研发的分布式存储系统软件,构成了全国产化的天阙云海量大数据存储系统。

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国人对自有产品有一种固化观念:“国产的性能弱!”便不愿尝试国产,以致于国产产品的市场占有率远低于国外产品。其实就“中国芯”存储产品而言,性能已足够支撑业务。瑞驰的天阙云存储便是与中科院、航天科工等国家队排头兵深度合作而打造的,其通过软件充分调用硬件资源,并针对性的进行特殊优化,从而使整个存储产品的性能大幅提升,提供文件、块、对象等标准接口,能满足80%以上的业务需求,其性能足以适用绝大部分行业应用场景。

美国为我们敲响了高科技领域发展自主创新的警钟。相信只要国家用心科研投入,集中力量突破核心技术难题,同时加大中国品牌的市场普及力度,在网络信息高科技领域实现“弯道超车”当指日可待!

这个课程,是从需求、外壳选型、芯片选型、原理图设计、PCB设计、制板、焊接、程序设计、调试、优化,一直到最终的产品,一条

近日消息, 天风国际分析师郭明錤今天给出的分析报告显示,苹果今年推出的iPhone手机不会支持5G网...

吴敬琏认为,中国40年改革开放,在经济发展上取得了很大的成就。但是经济发展越是到了高的阶段,遇到的矛...

在2000年前后发现的中微子振荡是一种很奇特的现象,人们发现中微子会“变身”!就像一只苹果在你面前变...

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。云存储,它是指通过集群应用、网格技术或分布式文件系统等功能,将网络中大量各种不同类型的存储设备通过...

云计算是一种利用互联网实现随时随地、按需、便捷地使用共享计算设施、存储设备、应用程序资源的计算模式,...

自去年推出骁龙855就备受追捧。甚至,今年整个上半年,刷屏最多的处理器就是骁龙855,旗舰机型几乎都...

半导体的支持工艺和CPU的性能关系就大了,它关系到CPU内能塞进多少个晶体管,还有CPU所能达到的频...

对于计算和I/O来讲,和中国经济调控一样,都是“ 水多了加面,面多了加水”螺旋式上升。

作为从小学马列的中国人,我们最熟悉螺旋式上升的概念。对于计算和I/O来讲,和中国经济调控一样,都是“...

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业界领先的半导体器件供应商兆易创新正式宣布,收购上海思立微电子科技有限公司的100%股权过户手续及相...

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上海证交所科创板正式开板,首波受理的企业超过 100 家,预计募资 160 亿美元。

从更快的处理器到更便宜的数据存储,计算技术的进步点燃了人工智能的新时代。

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近日,CES Asia 2019(2019亚洲消费电子展)在上海新国际博览中心隆重举办。由台湾创业公...

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全年销售额2191亿美元,营业利润530亿美元,双双创下新高的三星电子在2018年再次交出了一份令人...

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最近两个月,因为一系列事情,大家对国内芯片产业的关注度日益增加。 那么,什么是芯片?如何制造芯片?...

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近两年,中国芯片产业受到了严重打击,痛定思痛之余也让国人意识到芯片自主研发的重要性。从2008年以来...

信息产品分类接口和隔离 IOS子系统产品详情AC1301是一款AC/DC双输出、±15 V DC电源,提供±350 mA的电流。利用附带的安装夹和硬件,可以将其安装在3B01、3B02或3B03背板上。工作温度范围为-25°C至+70°C。

信息高压开关二极管专为高压,高速开关应用而设计。该双二极管器件包含两个封装在SOT-23表面的电隔离高压开关二极管 无铅封装可用。 适用于汽车和其他应用的NSV前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 无铅封装可用 S汽车前缀和其他需要独特站点和控制变更要求的应用程序; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

信息高压开关二极管专为高压,高速开关应用而设计。该双二极管器件包含两个封装在SOT-23表面的电隔离高压开关二极管 无铅封装可用。 适用于汽车和其他应用的NSV前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

信息 BAS21AHT1G是采用SOD-323封装的低漏电开关二极管。该器件与BAS21HT1G相同,具有更好的反向漏电流(IR)规格性能。 电路图、引脚图和封装图

信息 BAS16M3T5G开关二极管是我们广受欢迎的SOT-23三引线器件的衍生产品。它专为开关应用而设计,采用SOT-723表面贴装封装。该器件非常适用于低功耗表面贴装应用,其中电路板空间非常宝贵。 引脚表面处理:100%无光泽锡(锡) 极小的SOT-723封装

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 引线%哑光锡(锡) 合格回流温度:260°C 极小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 可提供无铅封装* 电路图、引脚图和封装图

信息开关二极管设计用于超高速开关应用。该器件采用SC-70封装,专为低功耗表面贴装应用而设计。 可提供无铅封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

信息小信号二极管 低正向压降 快速开关 非常小的薄型 最大剖面高度为0.43mm 尺寸为1.0 x 0.6mm

信息 BAS16P2T5G开关二极管是我们广受欢迎的SOT-23三引线器件的衍生产品。它专为开关应用而设计,安装在SOD-923表面该封装非常适合低功率表面贴装应用,其中电路板空间非常宝贵。 极小的SOD-923封装

信息采用SOT-563封装的双开关二极管。 引脚表面处理:100%无光泽锡(锡) 合格回流焊温度:260°C 超小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SC-75表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 这些器件是无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 S汽车及其他应用的前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 8 mm卷带和卷盘 - 使用BAS116LT1订购7英寸/ 3,000单位卷轴 Pb - 免费套餐。 汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护- 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率>

4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平...